NI半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)
許多半導(dǎo)體的檢驗(yàn)與特性實(shí)驗(yàn)室，都依賴機(jī)架堆疊儀器搭配大量的手動(dòng)測(cè)試程序，而生產(chǎn)測(cè)試單位則使用完整、高效通的昂貴自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備ATE來完成。從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)線所采用的測(cè)試方法不同，很難能夠進(jìn)行很好的關(guān)聯(lián)（correlation),使得整體的測(cè)試成本難以降低。因此最佳的系統(tǒng)優(yōu)化應(yīng)透過通用的統(tǒng)一的測(cè)試平臺(tái)，可因應(yīng)設(shè)計(jì)檢驗(yàn)到生產(chǎn)測(cè)試而隨時(shí)調(diào)整、讓設(shè)計(jì)與測(cè)試部門可輕松共用資料、以現(xiàn)有的半導(dǎo)體技術(shù)搭配最新功能，進(jìn)而降低成本。
一個(gè)?適用?于?從?特性?分析?到?生產(chǎn)?的?平臺(tái)?方法，?為?RF?和?混合?信號(hào)?測(cè)試?提供?了?更?低成本?的?高性能?測(cè)試?解決?方案。
NI?半導(dǎo)體?測(cè)試?客戶?反映：?在?滿足?測(cè)量?和?性能?要求?的?同時(shí)，?測(cè)試?時(shí)間?縮短?了?10?倍。
NI?產(chǎn)品?提供?了?業(yè)界?領(lǐng)先?的?測(cè)量?精度，?并?通過?NI?校準(zhǔn)?和?系統(tǒng)?服務(wù)?來?確保?精度?的?長(zhǎng)期?有效性。
第一輪6月19日，抽取二等獎(jiǎng): 羅馬仕5000mAh 移動(dòng)電源(8名)；
第二輪7月14日，抽取三等獎(jiǎng): 20元話費(fèi)充值(20名)， 及一等獎(jiǎng): 頭戴式藍(lán)牙耳機(jī)(1名)。
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隨著無(wú)線技術(shù)的增加和產(chǎn)品上市時(shí)間的日益縮短，工程師需要采用一種更高效和靈活的方法來測(cè)試射頻集成電路（RFIC），以便降低開發(fā)和測(cè)試成本。
工程師能夠在在不犧牲測(cè)量質(zhì)量和準(zhǔn)確性的同時(shí)，構(gòu)建高度并行的晶圓級(jí)可靠性系統(tǒng)。
工程師設(shè)計(jì)的PMIC測(cè)試解決方案必須能夠滿足未來技術(shù)要求，而且還要降低總體成本。
NI的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)（Semiconductor Test System,簡(jiǎn)稱STS）提供了可快速部署到生產(chǎn)的測(cè)試系統(tǒng)，適用于半導(dǎo)體生產(chǎn)測(cè)試環(huán)境。此外，PXI平臺(tái)開放式與模塊化的設(shè)計(jì)，使您可以獲得更強(qiáng)大的計(jì)算能力及更豐富的儀器資源，進(jìn)一步提升半導(dǎo)體測(cè)試效率，降低測(cè)試成本。
NI覆蓋實(shí)驗(yàn)室特征分析、晶圓測(cè)試（WAT,CP,晶圓可靠性測(cè)試等）、FT測(cè)試以及SLT系統(tǒng)級(jí)測(cè)試的方案，不論是設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓制造、封裝過程中或是封裝完成，針對(duì)RFIC、混合信號(hào)芯片、甚至最新3D IC和系統(tǒng)封裝（SiP）等不同測(cè)試類型和趨勢(shì)，NI通過統(tǒng)一的平臺(tái)和業(yè)界領(lǐng)先的儀器技術(shù)助您提高測(cè)試速度、降低測(cè)試成本。
提供從射頻前端模塊測(cè)試，分立射頻元件，射頻收發(fā)機(jī)到射頻MCU的領(lǐng)先RFIC測(cè)試解決方案。基于模塊化平臺(tái)設(shè)計(jì)，NI RFIC解決方案能輕松實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)室特征分析到量產(chǎn)測(cè)試的快速轉(zhuǎn)換，大幅減少測(cè)試時(shí)間和成本。
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