-
石墨烯打造OLED電極獲重大突破
2017年1月初，研究人員通過(guò)石墨烯制造出OLED電極，這也為石墨烯在OLED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展拉開(kāi)了序幕。據(jù)了解，石墨烯擁有高畫(huà)質(zhì)、柔性超薄、高對(duì)比、低能耗……
[詳細(xì)]
-
我國(guó)5nm碳納米管CMOS器件究新實(shí)現(xiàn)新突破
1月20日,我國(guó)首次制備出5納米柵長(zhǎng)的高性能碳納米晶體管，并證明其性能超越同等尺寸的硅基CMOS(互補(bǔ)金屬—氧化物—半導(dǎo)體)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，將晶體管……
[詳細(xì)]
-
納米級(jí)LED突破芯片間傳輸速率限制
這種nano-LED采用次微米級(jí)的納米柱形狀，其效率較前一代組件更高1000倍，在室溫下的輸出功率僅幾奈瓦（nW），相形之下，先前的研究結(jié)果約為皮瓦級(jí)……
[詳細(xì)]
-
我國(guó)研制出百毫秒級(jí)高效量子存儲(chǔ)器
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授潘建偉和包小輝等采用冷原子系綜，在國(guó)際上首次研制出百毫秒級(jí)高效量子存儲(chǔ)器，為遠(yuǎn)距離量子中繼系統(tǒng)的構(gòu)建奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，該成果……
[詳細(xì)]
-
日本研究團(tuán)隊(duì)制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET
日本三菱化學(xué)及富士電機(jī)、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)……
[詳細(xì)]
-
SK海力士推出世界首款72層3DNAND
4月11日，SK海力士宣布推出世界首款72層256Gb 3D NAND閃存，基于TLC陣列。這也是在2016年11月首顆48層3D NAND芯片宣布5個(gè)月之后，SK海力士……
[詳細(xì)]
-
美國(guó)科研人員宣布實(shí)現(xiàn)1nm工藝制造
5月初，美國(guó)能源部(DOE)下屬的布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的科研人員宣布創(chuàng)造了新的世界記錄，他們制造出了尺寸只有1nm的印刷設(shè)備，使用是電子束印刷工藝……
[詳細(xì)]
-
科學(xué)家造出"全球最薄"納米線
5月下旬，劍橋和華威大學(xué)的研究人員通過(guò)碲注入碳納米管，制造出了"全球最薄"的納米線（將電線縮小到單原子串的寬度）。
在三維世界中，是沒(méi)有純一維……
[詳細(xì)]
-
蘋(píng)果公布新專利藍(lán)牙傳感器
此專利是利用傳感器技術(shù)幫助實(shí)現(xiàn)汽車(chē)之間相互通信。這款傳感器的技術(shù)類似于藍(lán)牙短程無(wú)線通信，可以掃描車(chē)輛周邊環(huán)境，并與其它車(chē)輛、傳感器和GPS進(jìn)行……
[詳細(xì)]
-
高通推出首款5G調(diào)制解調(diào)器芯片組
10月17日，高通在香港宣布正式推出首款面向移動(dòng)終端的5G調(diào)制解調(diào)器芯片組，并成功演示了全球首個(gè)與移動(dòng)設(shè)備的5G數(shù)據(jù)連接。同時(shí)高通還展示了首個(gè)面向……
[詳細(xì)]
-
上榜理由
石墨烯特殊的結(jié)構(gòu)形態(tài)，使其具備世界上最硬、最薄的特征，同時(shí)也具有很強(qiáng)的韌性、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。隨著石墨烯不斷被開(kāi)發(fā)使用，這些及其特殊的特性使其……
[詳細(xì)]
-
上榜理由
事實(shí)上，車(chē)間通信技術(shù)的概念早就已經(jīng)誕生了，博通、高通以及沃爾沃都對(duì)此提出了自身的解決方案，但測(cè)試過(guò)程中仍需要駕駛員的介入，無(wú)法實(shí)現(xiàn)完全自動(dòng)駕駛……
[詳細(xì)]
-
上榜理由
此項(xiàng)技術(shù)的突破，不僅是微波導(dǎo)、光調(diào)變器以及光探測(cè)器等技術(shù)整合的體現(xiàn)，也證明了微米級(jí)光源設(shè)計(jì)的可行性?？梢灶A(yù)料的是，這項(xiàng)技術(shù)未來(lái)將被廣泛用于短距離…
[詳細(xì)]
-
上榜理由
量子存儲(chǔ)技術(shù)是未來(lái)實(shí)現(xiàn)超遠(yuǎn)距離量子通信的核心之一，它也是解決光子信號(hào)在光纖內(nèi)指數(shù)衰減問(wèn)題的基礎(chǔ)。雖然全球量子存儲(chǔ)相關(guān)實(shí)驗(yàn)的進(jìn)展很快，但是到目前……
[詳細(xì)]
-
上榜理由
富士電機(jī)以及豐田中央研究所等制作的MOSFET，元件性能指標(biāo)之一的移動(dòng)度比碳化硅功率半導(dǎo)體高，確保了實(shí)際工作所必要的正閾值電壓。功率半導(dǎo)體如同它的……
[詳細(xì)]
-
上榜理由
由于人工智能、大數(shù)據(jù)等資訊科學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的第4次工業(yè)革命方興未艾，使得3D NAND Flash的需求達(dá)到爆發(fā)式成長(zhǎng)。在此背景之下，雖然三星以及東芝都已經(jīng)研發(fā)出……
[詳細(xì)]
-
上榜理由
1nm工藝技術(shù)的突破，似乎再次證明了"摩爾定律"不會(huì)失效。但由于實(shí)驗(yàn)采取的工藝與目前市場(chǎng)的光刻工藝有很多不同，所以這項(xiàng)技術(shù)將不會(huì)被應(yīng)用于商業(yè)化……
[詳細(xì)]
-
上榜理由
此項(xiàng)技術(shù)的突破或?qū)⒋蚱迫藗兊恼J(rèn)知，而制造這等尺度的導(dǎo)線，有助于將電子電路的損耗進(jìn)一步降低，給手機(jī)、可穿戴、筆記本電腦等便攜設(shè)備注入更強(qiáng)大的性能……
[詳細(xì)]
-
上榜理由
事實(shí)上，車(chē)間通信技術(shù)的概念早就已經(jīng)誕生了，博通、高通以及沃爾沃都對(duì)此提出了自身的解決方案，但測(cè)試過(guò)程中仍需要駕駛員的介入，無(wú)法實(shí)現(xiàn)完全自動(dòng)駕駛……
[詳細(xì)]
-
上榜理由
5G技術(shù)的發(fā)展已然全球矚目，隨著各企業(yè)以及各國(guó)家的積極布局，5G技術(shù)迎來(lái)了飛躍式發(fā)展。對(duì)于消費(fèi)者而言，5G技術(shù)的迅速發(fā)展將讓數(shù)千兆比特的互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)……
[詳細(xì)]
