據(jù)悉中國(guó)最大的芯片代工廠中芯國(guó)際預(yù)計(jì)將在4月份試產(chǎn)7nm工藝,這意味著中芯國(guó)際即使缺乏EUV光刻機(jī)也嘗試量產(chǎn)7nm工藝,這對(duì)于中國(guó)芯片制造業(yè)有重要的意義。

由于眾所周知的原因,中國(guó)芯片制造企業(yè)目前難以獲得EUV光刻機(jī),這對(duì)于5nm及更先進(jìn)工藝來說非常關(guān)鍵,而采用DUV光刻機(jī)則雖然也可以量產(chǎn)7nm工藝,但是這已是DUV光刻機(jī)的極限。

此前臺(tái)積電就是采用DUV光刻機(jī)投產(chǎn)了7nm工藝,此后時(shí)隔一年時(shí)間才采用EUV光刻機(jī)投產(chǎn)7nmEUV工藝。據(jù)分析指出,7nmEUV工藝較7nm工藝提升了20%的晶體管密度,同時(shí)降低了6%-12%的功耗可以說是巨大的進(jìn)步。

7nmEUV工藝能取得如此巨大的進(jìn)步與EUV光刻機(jī)的技術(shù)升級(jí)分不開,EUV是極紫外線的簡(jiǎn)稱,DUV則是深紫外線的簡(jiǎn)稱,DUV的波長(zhǎng)為193nm,而EUV的波長(zhǎng)則為十幾nm,利用波長(zhǎng)更短的EUV光刻機(jī)可以降低生產(chǎn)成本并且提升芯片的性能。

中芯國(guó)際采用DUV光刻機(jī)開發(fā)出接近7nm工藝的技術(shù)可以說是一個(gè)巨大的進(jìn)步,這意味著中芯國(guó)際正迅速縮短與臺(tái)積電的技術(shù)差距,同時(shí)也將取得對(duì)聯(lián)電和格芯的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),聯(lián)電和格芯已確定放棄7nm及更先進(jìn)的工藝。

中芯國(guó)際如果順利量產(chǎn)7nm工藝可望有助于增強(qiáng)中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)鏈的實(shí)力,目前中國(guó)大陸投產(chǎn)的最先進(jìn)工藝分別是臺(tái)積電南京工廠的16nmFinFET和中芯國(guó)際的14nmFinFET,如果中芯國(guó)際擁有先進(jìn)的7nm工藝,中國(guó)大陸的本土芯片企業(yè)可以就近流片,節(jié)省流片時(shí)間和成本,加快芯片研發(fā)進(jìn)程。

同時(shí)中芯國(guó)際研發(fā)出7nm工藝,將有助于它為更先進(jìn)的工藝積累技術(shù),一旦獲得EUV光刻機(jī)就可以迅速展開5nm工藝的研發(fā)。

當(dāng)下全球的芯片制造產(chǎn)能均出現(xiàn)緊張局面導(dǎo)致價(jià)格上漲,由于目前僅有臺(tái)積電和三星擁有7nm及更先進(jìn)工藝導(dǎo)致這些工藝的價(jià)格上漲幅度更大,如果中芯國(guó)際能投產(chǎn)7nm工藝將有助于它獲得更多利潤(rùn),去年下半年由于14nmFinFET工藝的拉動(dòng)它就取得了凈利潤(rùn)倍增,可見先進(jìn)工藝的利潤(rùn)非常豐厚,有了更多的利潤(rùn)也有助于中芯國(guó)際投資研發(fā)更先進(jìn)工藝,這是一種良性循環(huán)。

面臨如此困難情況下,中芯國(guó)際依然奮力前行,體現(xiàn)了中國(guó)芯片制造企業(yè)的艱苦奮斗決心。芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈也在努力向前,上海中星微電子也在努力開發(fā)自主研發(fā)的光刻機(jī),相信在中國(guó)各方的努力下,中國(guó)芯片制造業(yè)終究有一天能實(shí)現(xiàn)完全自主研發(fā)。