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中國半導體該如何跨越“三座大山”?

2021-11-19 20:00
芯鋰話
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2004年,已經(jīng)爬到“硅谷頂峰”的尹志堯博士回國創(chuàng)業(yè),除了18位懷著同樣理想的資深工程師外,他沒有帶回任何的資料。

之所以選擇空手而歸,是因為尹志堯博士從一開始就預料了這次創(chuàng)業(yè)必將“兇險萬分”,他要回國創(chuàng)立屬于中國自己的刻蝕機公司。在當時,中國刻蝕機行業(yè)仍是一片空白,想要做到零的突破,勢必會遭到打壓,稍有不慎就會被“專利”鎖喉。

得益于精英化的團隊配置,尹志堯博士創(chuàng)建的中微公司很快就在2007年推出了自己第一款刻蝕機,并獲得客戶的首肯。然而就在中微首款產品推出后不久,公司就遭到多次“專利訴訟”,好在尹志堯博士此前做的準備充足,才幫助中微接連贏下了三場專利官司。

時至今日,中微公司的刻蝕機產品已經(jīng)突破5nm制程,成功躋身世界最大半導體公司臺積電的供貨商名單,并與其共同研發(fā)下一代技術。

2020年Q2季度,全球前十名半導體芯片代工廠商合計市場份額達95.6%,呈現(xiàn)高度集中的態(tài)勢。在前十名的公司中,中微拿下了七家公司,合計市場份額高達73.9%。

從刻蝕機突圍看,中國半導體該如何跨越“三座大山”?

雖然中微并非這些公司的唯一供應商,但能夠進入如此多芯片代工企業(yè)的供應商名單,已經(jīng)足以說明中微公司的核心技術力。

在半導體產業(yè)鏈被頻頻“卡脖子”的當下,中微公司憑借完全自主的技術躋身國際一線陣營,這背后的故事值得我們深思。

通過復盤中微刻蝕機的崛起之路,我們發(fā)現(xiàn)中國半導體行業(yè)目前存在“三座大山”。究竟長期制約中國半導體發(fā)展的“三座大山”是什么?完全自主的中微又是如何翻山越嶺的呢?

/ 01 /

第一座大山:人才虹吸效應

半導體產業(yè)屬于高端制造業(yè),對專業(yè)人才依賴性極強。中國半導體遲遲無法突圍,其最核心的原因正在于人才的短缺,這也是壓制中國半導體發(fā)展的“第一座大山”。

人才匱乏并非因為中國人不夠優(yōu)秀,而是我們的專業(yè)人才并未為我們所用。美國是當今世界科研體系最完美的國家,無論是“科研氛圍”還是“個人待遇”,其都有著無與倫比的優(yōu)勢。全球科學家都以能夠融入美國科學界為目標,正是這種“人才虹吸效應”導致我國培養(yǎng)的頂尖人才往往不能為己所用。

尹志堯博士在接受采訪時曾向記者傾訴,自己在英特爾工作時,身邊負責科研的領導和同事幾乎都是華人,美國最尖端的研究組中,是從來不缺少華人的。

如何將我國高校培養(yǎng)出來的人才召回己用,已經(jīng)成為我國半導體技術發(fā)展的關鍵。

正是因為深知人才的重要,尹志堯博士才會在不帶回任何財物的情況下,唯獨帶回了一眾滿懷理想的工程師,而人才恰恰成為中微公司破局的關鍵。

尹志堯博士初期帶回的工程師中,有15名跟隨創(chuàng)業(yè),他們構成了中微公司的核心研究框架。中微公司后續(xù)所承擔的多項重大科研項目,幾乎都是由早期帶回的15個核心工程師所領導的。

從刻蝕機突圍看,中國半導體該如何跨越“三座大山”?

來源:中微公司公告

半導體產業(yè)極為復雜,涉及項目規(guī)劃、產品設計、工藝開發(fā)等多個環(huán)節(jié),不僅需要懂產業(yè)專家,還需要精通等離子體物理、射頻及微波學、結構化學、微觀分子動力學、光譜及能譜學、真空機械傳輸?shù)认嚓P學科的專業(yè)人員。

為了能夠吸引來自全世界的半導體設備專家,中微公司開創(chuàng)A股先河的采用“全員持股”的方式,有效的提升了關鍵技術人員的忠誠度和歸屬感,最大限度的降低關鍵技術人員流失的風險。

中微公司招股書顯示,在上市的時候,中微公司共有845名員工直接或間接持有公司約18.25%的股份。其中,創(chuàng)始人尹志堯在內的初創(chuàng)團隊持股3.25%,員工持股平臺南昌智微、中微亞洲、Grenade、Bootes、勵微投資、芃徽投資共持有公司15%的股份。

從刻蝕機突圍看,中國半導體該如何跨越“三座大山”?

在未來很長一段時間中,“人才虹吸效應”都將是制約中國半導體產業(yè)發(fā)展的絆腳石。中微公司用全員持股的方式,一定程度上增加了自身對人才的吸引力,但這卻并不能根治這一難題。

“科研氛圍”是一個很玄幻的詞匯,它并沒有實質的具象,而是一種虛擬的感受。如何增加我國的“科研氛圍”,勢必要打破校園的“象牙塔”,讓學術真正的走進基層企業(yè),才能在實踐中得出真知,這也是中國產業(yè)根本上趕超世界強國的唯一途徑。

/ 02 /

第二座大山:專利的枷鎖

中國半導體產業(yè)并非不具備制造能力,而是受專利所限,無法合法生產。從華為到中芯國際,無一不被專利技術“卡脖子”。

就像絕大多數(shù)中國企業(yè)那樣,2007年中微公司推出首臺CCP刻蝕機后,就遭到美國應用材料公司的起訴。

應用材料起訴中微的理由很簡答,因為尹志堯博士曾在應用材料做到總公司副總裁,領導和開發(fā)了全球一半以上的刻蝕機產品。應用材料想當然的認為,中微公司用的是他們的技術。

但實際上,在回國的時候,尹志堯博士和團隊就做好了專利攻堅的打算,不僅沒有使用任何應用材料的技術專利,甚至連技術構想都是重新研究的。理所當然的,中微公司贏下了與應用材料的官司,在2010年雙方最終達成和解。

從刻蝕機突圍看,中國半導體該如何跨越“三座大山”?

來源:華安證券

然而,應用材料的專利訴訟僅僅是個開始,2009年和2017年,中微公司分別遭到泛林半導體和維易科的專利訴訟,但最終中微公司都以勝訴告終。

三次專利戰(zhàn)的勝利,足以見證中微硬實力的含金量,而同時也從側面反映出中國半導體行業(yè)的處境。每當我們的公司在行業(yè)中有所突破時,都會遭受到來自于歐美國家的專利打壓,無論是否侵權。

正因為了解到專利技術的重要性,中微公司從創(chuàng)立之初就把技術放在第一位。截至 2021 年6月30日,中微公司共申請專利1870項,其中發(fā)明專利1613項,已獲授權專利 1106項,其中發(fā)明專利 945項。包括CCP刻蝕機、ICP刻蝕機、MOCVD設備在內的主要產品均擁有自主專利保護。

從刻蝕機突圍看,中國半導體該如何跨越“三座大山”?

中微公司之所以能夠跨越“第二座大山”,是得益于早期初創(chuàng)團隊的充分準備。但半導體歸根到底是一個集群性質的產業(yè),光靠一家中微公司是不夠的。

現(xiàn)如今,資本市場過于注重企業(yè)的盈利能力,而忽略了他們在知識產權方面的積累?v觀中國企業(yè)數(shù)次被卡脖子的情況,無一不是因知識產權所致。

對于科技公司而言,知識產權應該被格外看重,知識產權也很有可能成為未來半導體投資的主線之一。

/ 03 /

第三座大山:資本悖論

人們的生活離不開半導體,但研發(fā)半導體設備又是一個很燒錢的事情。

對于上市公司而言,賺錢分紅是為股東負責;但同時中國半導體產業(yè)又需要大量的資金投入,否則就只能受制于人。不搞研發(fā)就會落后,搞研發(fā)又會燒錢,盈利壓力與研發(fā)投入之間已經(jīng)形成無法回避的“資本悖論”,這成為壓制中國半導體發(fā)展的“第三座大山”。

尹志堯曾向媒體透露,中微公司成立16年的時間,就已經(jīng)花掉了超過20億元的資金,然而全球龍頭應用材料2020財年的研發(fā)投入就超過22億美元(約141億元),幾乎是中微公司過去總投入的7倍。

雖然中微的刻蝕機已經(jīng)擠進國際一線行列,但未來卻不得不面對來自國際巨頭競爭對手的沖擊。數(shù)十倍研發(fā)費用的差距,依然讓中微公司不能有任何的放松。

從業(yè)務層面分析,中微公司與應用材料還是存在差異的,應用材料如此多的研發(fā)投入并非只針對刻蝕機一個細分領域,而是全面布局除光刻機、觸角顯影機外的半導體前道設備產業(yè)鏈。

從刻蝕機突圍看,中國半導體該如何跨越“三座大山”?

在國內,2010年上市的北方華創(chuàng)采用與應用材料相似的發(fā)展策略,也是聚焦光刻機外的前道設備產業(yè)鏈。雖然上市較早,但北方華創(chuàng)2020年的研發(fā)費用也僅為6.7億元,不足應用材料研發(fā)費用的5%。

無論是先一步上市的北方華創(chuàng),還是后來的中微公司他們都遇到了同樣的難題,那就是本身在技術上就處于落后身位,而研發(fā)支出又遠遠落后對手,始終處于追趕之中,同時這也是中國半導體產業(yè)所普遍存在的問題。

不同于北方華創(chuàng)的全產業(yè)鏈布局,中微公司只將注意力聚焦于刻蝕機和MOCVD設備之上。雖然業(yè)務聚焦限制了中微公司的規(guī)模增長,但同時更聚焦的研發(fā)則能讓自身與國際競爭對手的研發(fā)支出差距縮小。

刻蝕工藝共有兩條技術路線,分別是濕法刻蝕和干法刻蝕。目前濕法刻蝕由于各向異性較差,所以應用較少,干法刻蝕成為半導體產業(yè)的主流技術。干法刻蝕又分為電容耦合等離子體刻蝕(簡稱CCP)、電感耦合等離子體刻蝕(ICP)兩種主流路線。

從刻蝕機突圍看,中國半導體該如何跨越“三座大山”?

中微公司早期單以CCP技術為突破點,在CCP刻蝕機達到國際一流水準后,才逐漸加深對于ICP和MOCVD的研究。CCP與ICP并非取代的關系,而是同時存在于半導體前道工序中,因此入局ICP有望加深中微公司的業(yè)務規(guī)模。

對于技術落后,很多投資者不以為意,既然技術落后,那我們就追加投入!但真的有那么容易嗎?

且不提研發(fā)本身就存在失敗的概率,單純提升研發(fā)投入很可能打破公司的支出平衡,讓公司陷入虧損之中,而這恰恰是國內投資者最不愿看到的事情。

這種對于虧損的擔心,完全是因為資本對于中國半導體產業(yè)缺乏信心。在中微公司創(chuàng)立之初,其實尹志堯博士就曾遇到資金不足的問題,直到最終拿到國開行的投資,中微公司才沒有“夭折”。

回過頭看,國開行對于中微公司的投資無比成功,現(xiàn)在的中微公司不僅躋身國際刻蝕機一線廠商行列,而且市值也已經(jīng)超過928億元,但今天的成功正是建立在過去的虧損之中。

如此分析,僅靠資本市場是不足以解決中國半導體企業(yè)落后的情況,中國半導體產業(yè)的發(fā)展,仍需要大基金的支持。2019年半導體基金的建立讓半導體產業(yè)的資金壓力有所緩解,但想要徹底解決資金問題,仍需完善更多的融資渠道。

此外,投資者也需要轉換思維,從單純注重盈利轉移至重視公司的科技價值。

/ 04 /

結語:中微的啟示

縱觀整個半導體前道設備產業(yè)鏈,刻蝕機、光刻機和薄膜沉積設備是市場占比較高的三大細分行業(yè),分別占整個市場的25%、22%和22%。

從刻蝕機突圍看,中國半導體該如何跨越“三座大山”?

作為半導體前道設備中市場規(guī)模最大的細分行業(yè),刻蝕機也曾與光刻機一樣是《瓦森納協(xié)定》所封鎖的重點。但隨著中微公司的突圍,如今《瓦森納協(xié)定》已經(jīng)解除了對刻蝕機的封鎖,使得中國刻蝕機不再受制于人。

中微公司突圍背后,人才、專利、資本三要素缺一不可。對于中國半導體產業(yè)而言,中微公司的成功很有借鑒意義,只有當正確的人,做了正確的事情,并獲得了正確的資本支持,才能讓中國半導體走上國際的舞臺。

聲明: 本文由入駐維科號的作者撰寫,觀點僅代表作者本人,不代表OFweek立場。如有侵權或其他問題,請聯(lián)系舉報。

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