力挺摩爾定律,英特爾開發(fā)出3D堆疊技術(shù)
半個世紀(jì)前,英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出“摩爾定律”(Moore's Law),從這以后,芯片廠商們多遵從這一定律生產(chǎn)芯片。而近年來,“摩爾定律”被其他廠商唱衰,本該是芯片“鼻祖”的英特爾也在技術(shù)上漸漸落后于競爭對手。在此次的架構(gòu)日,英特爾展示了他們的眾多下一代技術(shù)和已經(jīng)做出的創(chuàng)新,其中就包括業(yè)界首個3D堆疊邏輯芯片。
據(jù)媒體報道,12月11日,英特爾召開架構(gòu)溝通會。會上,英特爾向參會者介紹了其基于10nm的PC、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng),并分享了其在處理器、架構(gòu)、存儲、互連、安全和軟件等六個工程領(lǐng)域的技術(shù)戰(zhàn)略。其中,熱度最高的莫過于新開發(fā)的首個3D封裝架構(gòu)“Foveros”,它可以說是英特爾面對其他從業(yè)者質(zhì)疑“摩爾定律”的最好回應(yīng)。
近年來多次出現(xiàn)“摩爾芯片唱衰論”。用很小的體積做到高性能,是現(xiàn)在芯片技術(shù)的主要方向,但是又要小,又要做到性能高,廠商們?nèi)粼龠\用“摩爾定律”制造芯片,無疑難度很大。如今制作芯片的困難主要來自于材料上,當(dāng)芯片制程達(dá)到10nm時,柵氧化層的厚度變薄,會產(chǎn)生諸多量子效應(yīng),晶體管很容易漏電。當(dāng)其他廠商接連研制出10nm、7nm制程的芯片時,一直使用“摩爾定律”的英特爾反而把本該在今年7月份就宣布發(fā)布的10nm制程工藝推遲到了明年年末。
而此次推出的Foveros技術(shù)則是對“摩爾定律”的延續(xù)。英特爾表示,F(xiàn)overos可以做到將計算電路堆疊,并快速地將它們連接到一起,從而將更多的計算電路組裝到單個芯片上,實現(xiàn)高性能、高密度和低功耗。
2019年下半年,英特爾將開始使用Foveros推出一系列產(chǎn)品,其首款產(chǎn)品將結(jié)合高性能10nm計算堆疊小芯片和低功耗22FFL基礎(chǔ)芯片。
英特爾芯片架構(gòu)主管拉賈·科杜里(Raja Kosuri)表示,他們在這20年里,一直研究這項技術(shù)。堆疊以前曾在內(nèi)存芯片中使用,但英特爾是第一家將該技術(shù)應(yīng)用到所謂的“邏輯”芯片中的公司。
“落后”的英特爾,這次要走在前面了。
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