半導體刻蝕設備國產(chǎn)化
作為半導體制造工藝的核心設備之一,刻蝕設備也是掌握半導體市場命脈的關鍵點。然而,根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)顯示,刻蝕設備由Lam Research、TEL、AMAT三大巨頭把控,合計全球市場占有率高達91%。國內(nèi)刻蝕設備雖然占比甚微,但好在有所依托。當前,中國刻蝕設備國產(chǎn)化重任由中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐半導體共同擔起,根據(jù)三方數(shù)據(jù),2020年國內(nèi)刻蝕龍頭中微公司、北方華創(chuàng)的刻蝕業(yè)務都取得了較高收入增長。
刻蝕原理及分類
刻蝕是用化學、物理或兩者結合的方法有選擇地去除沒有被抗蝕劑掩蔽的薄膜層,從而將圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到待刻蝕的薄膜上。按照工藝劃分,刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕,由于濕法刻蝕在小尺寸及復雜結構應用中的局限性,當前市場應用以干法刻蝕為主,市占率高達90%以上。濕法刻蝕是用液體化學劑去除襯底表面的材料,各向異性差,隨著器件特征尺寸縮小、結構愈加復雜,刻蝕精度難以保證。目前,濕法刻蝕主要用于清洗干法刻蝕殘留物。干法刻蝕則是利用等離子體實現(xiàn)化學或物理反應來實現(xiàn)刻蝕。
按照刻蝕材料劃分,刻蝕可分為介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕和金屬刻蝕。
刻蝕設備技術發(fā)展方向
電容性等離子體刻蝕CCP:將施加在極板上的射頻或直流電源通過電容耦合的方式在反應腔內(nèi)形成等離子。能量高、精度低,主要用于介質(zhì)材料刻蝕。
電感性等離子體刻蝕ICP:將射頻電源的能量經(jīng)由電感線圈,以磁場耦合的形式進入反應腔內(nèi)部,從而產(chǎn)生等離子體并用于刻蝕。能量低、精度高,主要用于硅刻蝕和金屬刻蝕。
電子回旋共振刻蝕ECR:使用帶電粒子在磁場中回旋轉(zhuǎn)動獲得能量,繼而電子碰撞增加產(chǎn)生高密度的等離子體。
變壓器耦合等離子體源TCP:TCP原理與ICP相似,區(qū)別是ICP為立體式電感線圈,而TCP為平面式。
ALE原子層刻蝕:通過一系列自限制反應去除單個原子層,顆將刻蝕精度精確到一個原子層,即0.4nm,具有超高選擇率和均勻性,且微負載效應可以忽略不計。
刻蝕設備市場趨勢
近年來,5G、AIoT等新興技術合力推動下,產(chǎn)業(yè)智能化進程加速,下游應用市場需求迸發(fā),拉動著全球半導體需求放量上漲,反向驅(qū)動上游半導體制造設備需求和技術更迭。據(jù)方正證券報告預計,全球晶圓制造設備(WFE)市場規(guī)模將達到850億美元量級。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示,預計至2025年,全球刻蝕設備市場規(guī)模將增長至155億美元,年復合增長率約為5%。全球半導體成長空間有望進一步拉大,刻蝕設備市場規(guī)模也將隨之進一步提升。
隨著先進制程線寬進一步縮小,對包括刻蝕在內(nèi)的半導體制造技術對精確度和重復性有著更高的要求。單論刻蝕技術,速率、各向異性、刻蝕偏差等指標都將成為影響芯片制造良率的因素,刻蝕設備的重要性日益突顯。
近年來,國產(chǎn)設備廠商邁入技術迅速發(fā)展、市場生態(tài)拓寬的全新發(fā)展期,國產(chǎn)設備逐漸受到產(chǎn)業(yè)鏈上下游的認可和采納。雖然國產(chǎn)半導體設備已經(jīng)逐漸走上發(fā)展正軌,但國產(chǎn)化率仍然處于較低水平,技術和產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設距離國際水準也還存在著不小的差距。據(jù)國盛證券估算,中國刻蝕市場需求預計在200億元以上,國產(chǎn)化率不超過20%,仍然擁有較大的國產(chǎn)替代空間。
國內(nèi)刻蝕設備龍頭
中微公司
中微公司CCP刻蝕設備已經(jīng)順利交付1500臺,ICP設備也已累計交付100臺反應腔。CCP刻蝕設備包括雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺HD-RIE,廣泛應用于國際一線客戶從65nm至5nm、64層及128層3D NAND晶圓產(chǎn)線及先進封裝生產(chǎn)線。
北方華創(chuàng)
自2005年第一臺8英寸ICP刻蝕機進入生產(chǎn)線,北方華創(chuàng)ICP刻蝕機已經(jīng)取得國內(nèi)領先地位。截至2020年底,北方華創(chuàng)ICP刻蝕機交付突破1000臺。而2017年,該公司8英寸金屬刻蝕設備進入國內(nèi)主流代工產(chǎn)線,打破了8英寸刻蝕機長期由國際壟斷的局面。
屹唐半導體
屹唐半導體產(chǎn)品包括干法刻蝕設備paradigmE系列,可用于65nm到5nm邏輯芯片、10nm系列DRAM芯片以及32層到128層閃存芯片制造中若干關鍵步驟的大規(guī)模量產(chǎn)。
參考資料:
1.半導體刻蝕機研究框架
2.半導體設備系列:刻蝕主賽道,有望加速導入國產(chǎn)設備
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