一、寫(xiě)在前面：

專利挖掘是企業(yè)技術(shù)成果保護(hù)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一，也是企業(yè)構(gòu)建完善知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的重要前提。專利挖掘是指從技術(shù)和法律視角出發(fā)，將技術(shù)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中的技術(shù)成果按照一定的流程和工作方法整理出可專利技術(shù)點(diǎn)和技術(shù)方案的過(guò)程。由于專利挖掘要求相關(guān)工作人員對(duì)技術(shù)、專利法有較深的理解，很多企業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作人員缺乏進(jìn)行專利挖掘的專業(yè)能力，這也是導(dǎo)致企業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)無(wú)法形成系統(tǒng)化保護(hù)的主要原因。因此，我們將燃料電池領(lǐng)域常用的幾種專利挖掘策略進(jìn)行了整理，希望對(duì)業(yè)內(nèi)各企業(yè)專利工作有所幫助。

二、燃料電池領(lǐng)域 專利挖掘常用策略

燃料電池領(lǐng)域?qū)＠�挖掘策略主要分為以下幾種類型：

1、 基于具體技術(shù)問(wèn)題出發(fā)進(jìn)行專利挖掘；

2、 從關(guān)聯(lián)因素出發(fā)進(jìn)行專利挖掘；

3、 從具體項(xiàng)目出發(fā)進(jìn)行專利挖掘；

下文將通過(guò)具體案例的形式對(duì)上述專利挖掘策略進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

2．1 基于具體技術(shù)問(wèn)題出發(fā)進(jìn)行專利挖掘

發(fā)現(xiàn)問(wèn)題、解決問(wèn)題是研發(fā)過(guò)程中的典型流程�；�于具體技術(shù)問(wèn)題出發(fā)進(jìn)行專利挖掘就是指從技術(shù)問(wèn)題出發(fā)，對(duì)解決各問(wèn)題／缺陷的改進(jìn)手段／優(yōu)化方案進(jìn)行整理，并最終形成可專利申請(qǐng)技術(shù)方案的過(guò)程。常規(guī)的技術(shù)問(wèn)題可以來(lái)自現(xiàn)有技術(shù)中存在問(wèn)題，產(chǎn)品實(shí)際使用過(guò)程中客戶反饋的問(wèn)題，客戶提出的新需求或者新問(wèn)題，現(xiàn)有產(chǎn)品或業(yè)務(wù)中存在的缺陷等。

基于具體技術(shù)問(wèn)題出發(fā)進(jìn)行專利挖掘示例：

通過(guò)上述示例可以看出，基于具體技術(shù)問(wèn)題出發(fā)進(jìn)行的專利挖掘是從一個(gè)個(gè)單一的或個(gè)別的問(wèn)題點(diǎn)出發(fā)對(duì)技術(shù)方案進(jìn)行挖掘。這種挖掘方法相對(duì)簡(jiǎn)單，容易操作。但需要注意的是，此種方法可能造成技術(shù)方案遺漏而使其未被挖掘到，同時(shí)該方法最終形成的專利保護(hù)與布局相對(duì)碎片化，缺乏系統(tǒng)性和條理性，可能被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手規(guī)避和模仿。

2．2 從關(guān)聯(lián)因素出發(fā)進(jìn)行專利挖掘

從關(guān)聯(lián)因素出發(fā)進(jìn)行專利挖掘是指針對(duì)技術(shù)、產(chǎn)品中的創(chuàng)新點(diǎn)進(jìn)行拓展，將關(guān)聯(lián)創(chuàng)新點(diǎn)一并進(jìn)行挖掘，形成具有一定深度的專利挖掘成果。

示例：

背景技術(shù)：燃料電池堆由多個(gè)單電池堆疊構(gòu)成，其內(nèi)部具有供冷卻水流動(dòng)的冷卻水流路。如果冷卻水流路中存在氣泡，則會(huì)導(dǎo)致燃料電池堆冷卻效率降低（即氣泡周?chē)�的單電池不被充分冷卻），進(jìn)而使得電堆溫度升高并造成其輸出電壓降低。

技術(shù)方案：當(dāng)判斷出冷卻流路中確實(shí)存在氣泡后，可通過(guò)增加或者減小冷卻水循環(huán)泵的旋轉(zhuǎn)速度來(lái)排出冷卻水流路中存在的氣泡。

上述技術(shù)方案的創(chuàng)新點(diǎn)為：“排出冷卻流路中存在的氣泡”，技術(shù)手段為增加或者減小冷卻水循環(huán)泵的旋轉(zhuǎn)速度來(lái)排出冷卻水流路中存在的氣泡。

與該創(chuàng)新點(diǎn)關(guān)聯(lián)的其他的創(chuàng)新點(diǎn)：

1、確定電堆冷卻流路中存在氣泡的方法：計(jì)算所有單電池平均輸出電壓與指定單電池輸出電壓之間的差值，判斷差值是否大于第一閾值；若差值大于第一閾值，則進(jìn)一步判斷位于電堆垂直方向最上側(cè)單電池與被指定單電池間的任一單電池的輸出電壓值是否滿足對(duì)應(yīng)條件，即其輸出電壓值是否在前述兩部分單電池的輸出電壓之間，若位于兩者輸出電壓之間，則可判定冷卻水路徑中存在氣泡。

2、排出氣泡所需要的燃料電池系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)置：制冷劑排放管具有節(jié)流部分，該節(jié)流部分的通道橫截面面積小于制冷劑排放管的其他面積，節(jié)流部分與排氣通過(guò)的下游端連通。

3、抑制氣泡回流到電堆發(fā)電部：配備由墊圈或密封接合部和分隔件構(gòu)成的形狀具有在重力方向上布置在制冷劑出口歧管上方的堰塞部或凸部，并且抑制混入制冷劑中的氣泡回流到發(fā)電部。

從“排出冷卻流路中存在的氣泡”這一創(chuàng)新點(diǎn)出發(fā)，關(guān)聯(lián)因素專利挖掘方法將“確定冷卻流路中存在氣泡的方法”、“排出氣泡所需要的燃料電池系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)置”、“抑制氣泡回流到電堆發(fā)電部”等相關(guān)創(chuàng)新點(diǎn)挖掘出，若針對(duì)該創(chuàng)新點(diǎn)進(jìn)一步挖掘，我們還可以對(duì)冷卻流路產(chǎn)生氣泡的原因進(jìn)行分析，因此避免冷卻流路產(chǎn)生氣泡的相關(guān)技術(shù)也可以是該創(chuàng)新點(diǎn)的關(guān)聯(lián)技術(shù)。

從關(guān)聯(lián)因素出發(fā)進(jìn)行專利挖掘可圍繞具體創(chuàng)新點(diǎn)進(jìn)行橫向擴(kuò)展，從而形成網(wǎng)狀的專利保護(hù)與布局成果。但關(guān)聯(lián)因素專利挖掘方法難以應(yīng)對(duì)大型研發(fā)項(xiàng)目以及成套產(chǎn)品的專利挖掘。

2．3 從具體項(xiàng)目出發(fā)進(jìn)行專利挖掘

對(duì)于燃料電池企業(yè)而言，從具體項(xiàng)目出發(fā)進(jìn)行專利挖掘在實(shí)際工作中應(yīng)用較多，如針對(duì)電堆產(chǎn)品、燃料電池動(dòng)力系統(tǒng)、整車(chē)制造與控制、儲(chǔ)氫罐制造、加氫站設(shè)計(jì)與應(yīng)用等進(jìn)行專利挖掘時(shí)均可適用該方法。下面將以膜電極組件制造專利挖掘?yàn)槔�，�?jiǎn)要說(shuō)明從具體項(xiàng)目出發(fā)進(jìn)行專利挖掘的工作思路。

整體工作思路如下：

a．  對(duì)當(dāng)前挖掘項(xiàng)目進(jìn)行技術(shù)拆分，厘清主要的項(xiàng)目環(huán)節(jié)，做到拆分合理、環(huán)節(jié)全面。

膜電極組件由質(zhì)子交換膜、催化劑層、氣體擴(kuò)散層以及樹(shù)脂框架組成；在膜電極組件制備過(guò)程中，首先需要制備加工各組件，然后通過(guò)制造設(shè)備和制備工藝將各組件結(jié)合形成膜電極組件；最后對(duì)膜電極組件進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)以及存放儲(chǔ)存等。因此，我們可以將膜電極組件的制造節(jié)點(diǎn)分為四大環(huán)節(jié)：組件制備、制備工藝、制造設(shè)備以及其他。

b．  對(duì)各項(xiàng)目環(huán)節(jié)所涉及的技術(shù)進(jìn)行分類、分級(jí)歸納，盡可能做到不遺不漏。

例如，膜電極構(gòu)成組件的制備可分為質(zhì)子交換膜、催化劑層、氣體擴(kuò)散層以及樹(shù)脂框架的制備。以催化劑層制備為例，催化劑層制備涉及催化劑載體的制備、催化劑漿料的制備（漿料組分、分散性改進(jìn)等）、催化劑層制備等技術(shù)。

膜電極組件制備工藝分為GDE法、CCM法以及有序化膜電極工藝。以CCM法為例，CCM工藝中涉及到質(zhì)子交換膜、催化劑層等片材的供給、裁剪、結(jié)合等工藝，如將催化劑負(fù)載到質(zhì)子交換膜上可涉及到支撐膜涂布法、單面轉(zhuǎn)印法、直接轉(zhuǎn)印法等工藝。

膜電極組件制造設(shè)備包括片材供給設(shè)備、裁剪設(shè)備、輥壓設(shè)備、噴涂設(shè)備、熱壓設(shè)備、干燥設(shè)備、片材回收設(shè)備等。

通過(guò)對(duì)具體環(huán)節(jié)的技術(shù)進(jìn)行分類、分級(jí)歸納整理，可確保各項(xiàng)目環(huán)節(jié)的技術(shù)都能夠被挖掘到，確保專利挖掘工作的有效性、系統(tǒng)性。

c．  從技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案、技術(shù)效果等角度進(jìn)行補(bǔ)充挖掘。

在進(jìn)行膜電極專利挖掘時(shí)還可以考慮從膜電極制造過(guò)程中的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案以及實(shí)現(xiàn)的技術(shù)效果等角度進(jìn)行補(bǔ)充挖掘，如從改善膜電極的親疏水性能、實(shí)現(xiàn)膜電極超薄化、降低膜電極制造成本等角度進(jìn)行專利挖掘，確保專利挖掘的全面性。另外還可借助專利檢索等手段擴(kuò)展專利挖掘思路。

從具體項(xiàng)目出發(fā)進(jìn)行專利挖掘可最大程度保證項(xiàng)目技術(shù)成果得到系統(tǒng)、全面的梳理，確保每一項(xiàng)技術(shù)產(chǎn)出都能夠被識(shí)別到，有助于企業(yè)實(shí)現(xiàn)專利保護(hù)與布局的完整性。但是，項(xiàng)目挖掘方法通常工作量大、難度高，對(duì)于部分企業(yè)而言，很難獨(dú)立完成這種類型的專利挖掘。