采樣板的概念與定義前面的文章都介紹過(guò)，不贅述；它就像最靠近電池的一線戰(zhàn)斗人員，最直接感受電池的脾氣；如下圖，采樣板正常的連接順序是模組的電芯通過(guò)采樣線束連接到采樣板的連接器，然后再經(jīng)過(guò)保護(hù)電路、濾波電路之后到AFE；其中，采樣板最常見的損壞方式就是AFE的損壞，表現(xiàn)為功能不正常、表面有燒損痕跡，引腳發(fā)黑發(fā)黃；還有就是采樣板上面的濾波電路與均衡電路損壞，例如電容短路、電阻斷路、保險(xiǎn)開路等。

拿到客戶的故障件后，一般不要急于上電檢查功能，避免造成二次損傷，先看一下外觀，包括殼體、連接器端口等；然后再打開殼體，看一下電路板，一般單板燒毀故障都會(huì)有明顯的灼燒痕跡，例如電阻發(fā)黑，芯片引腳發(fā)黃，先鎖定一下故障范圍區(qū)域；然后開始用儀器進(jìn)行漫長(zhǎng)的故障排查工作，測(cè)試鎖定的區(qū)域內(nèi)器件的導(dǎo)通狀態(tài)，這個(gè)時(shí)候就需要靜下心來(lái)慢慢搞了，注意不要輕易地下任何結(jié)論，讓單板自己說(shuō)話，一定要做好故障記錄，最好在電路圖上標(biāo)記出來(lái)故障點(diǎn)，例如某處均衡電阻斷開、引腳短路等狀態(tài)；如果都排查完了，啥都沒發(fā)現(xiàn)，此時(shí)可以就試試上電測(cè)一下功能了，看是否有什么異常；當(dāng)然，小組內(nèi)進(jìn)行討論可以提高排查效率。

ASIC的損壞一般是由于過(guò)電應(yīng)力（Electrical Over Stress，EOS）造成，是指器件承受了超出其標(biāo)稱范圍的電應(yīng)力（電流或電壓），按照應(yīng)力作用是將的長(zhǎng)短可以分為ESD、浪涌、直流應(yīng)力。ESD一般在1us以內(nèi)，浪涌在1us以上，直流應(yīng)力在1s以上。

對(duì)于ESD和直流應(yīng)力很好理解，但對(duì)于浪涌卻不是很熟悉，浪涌有很多來(lái)源，例如雷擊感應(yīng)、電纜放電、熱拔插、上下電沖擊、感性元件放電、容性元件充放電；但困難點(diǎn)在于怎么測(cè)試和驗(yàn)證，怎么制定有效的浪涌參數(shù)，還需要進(jìn)一步去研究；一般廠商會(huì)推薦參考的保護(hù)電路設(shè)計(jì)，不過(guò)深究的話，里面是有事情需要工程師去挖掘的。

當(dāng)電路中出現(xiàn)EOS后，大概率會(huì)出現(xiàn)一種叫做閂鎖（latch－up）的故障，閂鎖效應(yīng)是CMOS工藝所特有的寄生效應(yīng)，嚴(yán)重會(huì)導(dǎo)致電路的失效，甚至燒毀芯片，在閂鎖情況下，器件在電源與地之間形成短路，造成大電流、EOS（電過(guò)載）和器件損壞。具體原理自行百度，不過(guò)確實(shí)理解起來(lái)好復(fù)雜。

除了研究故障現(xiàn)象與失效原理外，還要掌握采樣板的運(yùn)行環(huán)境，去識(shí)別出EOS出現(xiàn)的原因。環(huán)境因素主要指電芯的排布，很多廠家使用同一個(gè)AFE去跨接多個(gè)模組采樣，這種情況是要極力避免的，之前有一篇關(guān)于AFE的文章里面詳細(xì)解釋過(guò)原因；但不幸的是，這種場(chǎng)景是存在的，如下圖所示，在這種場(chǎng)景下，要保證跨接的銅排要可靠連接，阻抗一定要��；甚至有的廠家在跨接處放置熔斷器，這是一個(gè)風(fēng)險(xiǎn)很高的操作，熔斷器的阻抗大于銅排阻抗，而且如果熔斷器意外熔斷后，AFE一定會(huì)被損壞，客戶大大要三思啊。

還有就是，跨接模組采樣時(shí)，在組裝模組過(guò)程中的接線也是一個(gè)值得關(guān)注的問題，模組之間接錯(cuò)線的話也很容易損壞AFE；再有建議幾個(gè)模組要把銅排連接好后，再去連接采采樣板線束。

總結(jié)：

不管啥時(shí)候，出現(xiàn)單板損壞一定會(huì)給硬件工程師帶來(lái)很大的影響，各方面的壓力一下子全部集中到此，而且出現(xiàn)問題時(shí)的背景往往客戶說(shuō)不清楚，所以我們一般會(huì)知道哪里壞了，但是為什么會(huì)壞很難一下子找到原因，客戶大大一定要理解�。缓昧�，抱怨完明天繼續(xù)查找問題去了（5．15半夜）。以上所有，僅供參考。